型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NGP15N41CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NGP15N41CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

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安森美半导体安森美半导体公司

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NGP15N41CL

IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NGP15N41CL

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 440V 15A 107W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 440V 15A 107W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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安森美半导体安森美半导体公司

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IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

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安森美半导体安森美半导体公司

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IgnitionIGBT15Amps,410Volts

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安森美半导体安森美半导体公司

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Gate?묮mitterESDProtection

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

NGP15N41CL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGP15N41CL

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 410V Ignition

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-12 16:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ON-安森美
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TO-2203LEADSTANDA
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ON/安森美
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TO-2203LEADSTANDARD
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原装正品 可含税交易
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