NGD18N40ACLBT4G价格

参考价格:¥6.2786

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NGD18N40ACLBT4G

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NGD18N40ACLBT4G

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

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NGD18N40ACLBT4G

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Littelfuse

力特

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

NGD18N40ACLBT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGD18N40ACLBT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA
55440
ON(安森美)
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