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NEZ1414-5E

N-CHANNELGaAsMESFET

5WX,Ku-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZ1011-5EandNEZ1414-5EarepowerGaAsMESFETswhichprovidehighgain,highefficiencyandhigh outputinX,Ku-band.Theinternalinputandoutputmatchingenablesguaranteedperformancetobeachievedwith onlya50Wexternalcircuit.To

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES HIGHPOWER P1dB=37.5dBmat14.0GHzto14.5GHz HIGHGAIN G1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz „BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET „HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-4-27 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC-日本电气
24+25+/26+27+
TO-59.高频管
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