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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NESG3033M14-T3-A | NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NESG3033M14-T3-A | NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR 文件：281.49 Kbytes Page：7 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  | |
NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR 文件：281.49 Kbytes Page：7 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NESG3033M14-T3-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG3033M14-T3-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1206+ |
SOT-163 |
32000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1948+ |
SOT23-3 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3357 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-23 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
RENESAS |
SOT163 |
30000000 |
原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上 |
||||
RENESAS |
2017+ |
SOT-23 |
24589 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
SOT-343 |
27000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
SOT-943 |
57500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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