位置:首页 > IC中文资料 > NEB4-8GM45-E2
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
NEB4-8GM45-E2 | Inductive sensor 文件:162.92 Kbytes Page:1 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福(北京)过程自动化控制设备有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEBV3I/26PFY/2PH/TAH |
2 |
2 |
|||||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
N/A |
2023+ |
DIP16 |
50000 |
原装现货 |
|||
NEBULA |
23+ |
DIP16 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NEC |
24+ |
3378 |
绝对原装公司现货供应!价格优势 |
||||
SOT23 |
11287 |
04+ |
0 |
||||
NEBULA |
2447 |
DIP-16 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
NCEPOWER新功率 |
23+ |
TO-252 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
NEC |
2023+环保现货 |
3500 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
NEB4-8GM45-E2规格书下载地址
NEB4-8GM45-E2参数引脚图相关
- pc100
- PC/104
- p800
- p600
- otl功率放大器
- opa642
- opa2604
- op37
- op07中文资料
- op07
- OLED显示屏
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- NEDM30
- NED-75B
- NED-75A
- NED-75
- NED-50B
- NED-50A
- NED-50
- NED-35B
- NED-35A
- NED-35
- NED-100
- NeChip
- NEB-N
- NEBJ25R
- NEBJ25C
- NEBJ25
- NEBJ21R
- NEBJ21C
- NEBJ21
- NEB-D
- NEB-5DWB-DBNH-000-ESA
- NEB-5DWB-DANL-000-ESA
- NEB-5DWB-DANH-000-ESA
- NEB-5DWA-DCNH-000-ESA
- NEB-5DWA-DBNH-000-ESA
- NEB-5DWA-DANL-000-ESA
- NEB-5DWA-DANH-000-ESA
- NEB-5DMD-DCNH-000-ESA
- NEB-5DMD-DBNH-000-ESA
- NEB-5DMD-DANL-000-ESA
- NEB-5DMD-DANH-000-ESA
- NEB-5DMB-DCNH-000-ESA
- NEB-5DMB-DBNH-000-ESA
- NEB-5DMB-DANL-000-ESA
- NEB-5DMB-DANH-000-ESA
- NEB-5DMA-DCNH-000-ESA
- NEB-5DMA-DBNH-000-ESA
- NEB-5DMA-DANL-000-ESA
- NEB-5DMA-DANH-000-ESA
- NEB4-8GM50-E2-V3
- NEB3-F41-E3-V3
- NEB3-F41-E3
- NEB3-F41-E2-V3
- NEB3-F41-E2
- NEB3-F41-E1-V3
- NEB3-F41-E1
- NEB3-F41-E0-V3
- NEB3-F41-E0
- NEB3-8GM45-E2-V3
- NEB3-8GM40-E3-V3
- NEB3-8GM40-E3-V1
- NEB3-8GM40-E3-PUR
- NEB3-8GM40-E2-V3
- NEB3-8GM40-E2-V1
- NEB3-8GM40-E2-PUR
- NEB3-8GM40-E1-V3
- NEB3-8GM40-E1-V1
- NEB3-8GM40-E1-PUR
- NEB3-8GM40-E0-V3
- NEB3-8GM40-E0-V1
- NEB21R
- NEB1R
- NEA016
- NEA005
- NE97833
- NE97733
- NE960R5
- NE960R2
- NE94433
- NE94430
- NE944
- NE9002
- NE9001
- NE9000
- NE8MX-B
- NE8MX6
- NE8MX-1
- NE8MX
- NE8MC-B
- NE8MC-1
NEB4-8GM45-E2数据表相关新闻
NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103