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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE962R575 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE960R5 Series are 0.5 W GaAs MES FETs designed for middle power transmitter applications for X, Kuband microwave communication systems. It is capable of delivering 0.5 watt of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion and are suitable as driver a | NEC 瑞萨 |   |
NE962R575产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE962R575
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SOT23 |
1855 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
CDIP |
|||
NDK |
DIP-5 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT23 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
|||
NEC |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-23 |
409 |
NE962R575规格书下载地址
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2023-3-16NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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