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0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION The NE651R479A is a 0.4 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 0.4 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent distortion and as a driver amplifi

NEC

瑞萨

MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION NECs NE651R479A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 0.5 Watts of output power (CW) at 3.5 V, and 1 Watt of output power (CW) at 5

CEL

N-CHANNEL GaAs HJ-FET

0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION The NE651R479A is a 0.4 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 0.4 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent

RENESAS

瑞萨

MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

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CEL

更新时间:2025-10-30 23:00:01
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NEC
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