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RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60 (Typ) • Cost Effective PowerMac

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NE555CDP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE555CDP

  • 制造商

    ROCK

  • 功能描述

    555CDP

更新时间:2026-5-15 11:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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