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NE5531079A-T1A	7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：382.84 Kbytes Page：8 Pages	CEL	CEL
NE5531079A-T1A	7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：240.3 Kbytes Page：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NE5531079A-T1A-A	封装/外壳：4-SMD，扁平引线包装：散装描述：FET RF 30V 460MHZ 79A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	CEL	CEL
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更新时间：2025-10-19 10:51:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	NE5531079AT1AA	CEL	22+	79A	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	NE5532	PHI	25+	SMD8	4003	⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙	询价
深圳市一线半导体有限公司	NE5531N	PHI/S	24+	DIP16	120		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NE5531079A-T1-A	RENESAS	1923+	NA	7880	原盒原包装现货原装假一罚十价优	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NE5531079A-T1-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	20+	-	1000		询价
深圳市赛美科科技有限公司	NE5531079A-T1-A	FET		ROHS	13352	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NE5532	TI	24+	原厂原装	2500	原装现货热卖	询价
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深圳市诺美思科技有限公司	NE5531079A-T1-A	RENESAS		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价

NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17
NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17
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2019-3-22