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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5531079A-T1-A | 7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：382.84 Kbytes Page：8 Pages | CEL |   | |
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7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：240.3 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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NE5531079A-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5531079A-T1-A
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
- |
1000 |
||||
TI |
25+23+ |
DIP-8 |
30040 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FET |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TI |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
TI |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
PHI/S |
24+ |
DIP16 |
120 |
||||
RENESAS |
24+ |
十字架 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS |
NA |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
||||
TI |
24+ |
原厂原装 |
2500 |
原装现货热卖 |
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2023-4-14NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
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2022-2-19NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限） 详细描述 通用-放大
2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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