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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NE5521D	LVDTsignalconditioner DESCRIPTION TheNE/SA/SE5521isasignalconditioningcircuitforusewithLinearVariableDifferentialTransformers(LVDTs)andRotaryVariableDifferentialTransformers(RVDTs).Thechipincludesalowdistortion,amplitude-stablesinewaveoscillatorwithprogrammablefrequencytodrivethe	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
5521	HighCurrentRFChokes SpecialFeatures •Veryhighcurrentcapacity •LowDCR •Ferritecore •VW-1ratedshrinktubingtocoverwinding •Fixedleadspacing •Operatingtemperature-55to+105°C •Currenttocause5maximuminductance dropor35°Cmaximumtemperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ADL5521	400MHz-4GHzLowNoiseAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADL5521isahighperformanceGaAspHEMTlow-noiseamplifier.Itprovideshighgainandlownoisefigureforsingledown-conversionIFsamplingreceiverarchitecturesaswellasdirectdownconversionreceivers. TheADL5521amplifiercomesinacompact,thermallyenhanced	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
5521	HighCurrentChokes 文件：469.54 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
5521E	InstrumentKnobs 文件：332.46 Kbytes Page：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
5521-RC	HighCurrentChokes 文件：469.54 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

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更新时间：2024-4-19 12:06:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
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2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号：NE5532DR 制造商 TexasInstruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 ICOPAMPGP2CIRCUIT8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL）1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.NE3512S02-T1D
2019-12-17
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2019-3-22