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位置：首页 > IC中文资料第2118页 > NE5517DR2

NE5517DR2价格

参考价格：￥5.3170

型号：NE5517DR2G 品牌：ON SEMICONDUCTOR 备注：这里有NE5517DR2多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE5517DR2批发/采购报价，NE5517DR2行情走势销售排行榜，NE5517DR2报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE5517DR2

Dual Operational Transconductance Amplifier

The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit performance is

ONSEMI

安森美半导体

NE5517DR2

Dual Operational Transconductance Amplifier

文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NE5517DR2G

Dual Operational Transconductance Amplifier

The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit performance is

ONSEMI

安森美半导体

NE5517DR2G

Dual Operational Transconductance Amplifier

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安森美半导体

AU5517DR2

Dual Operational Transconductance Amplifier

The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit performance is

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AU5517DR2G

Dual Operational Transconductance Amplifier

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安森美半导体

AU5517DR2

Dual Operational Transconductance Amplifier

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安森美半导体

AU5517DR2G

Dual Operational Transconductance Amplifier

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ONSEMI

安森美半导体

NE5517DR2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5517DR2

  • 功能描述

    跨导放大器 Transconductance

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 通道数量

    1

  • 封装/箱体

    SOIC-14

  • 输入补偿电压

    40 mV at +/- 5 V

  • 电源电压-最大

    +/- 5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装

    Tube

NE5517DR2供应商更多...

更新时间：2026-1-28 21:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
NE5517DR2G
PHI
19+
SOP16
5000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
NE5517DR2G
onsemi(安森美)
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SOIC-16
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深圳市富达微科技有限公司
NE5517DR2G
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深圳市赛特兴科技有限公司
NE5517DR2G
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深圳市宇创芯科技有限公司
NE5517DR2G
ON(安森美)
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原装正品现货支持实单
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深圳市芯球通科技有限公司
NE5517DR2G
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深圳市星宇佳科技有限公司
NE5517DR2G
ON/安森美
9999
原装现货支持BOM配单服务
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深圳市英卓尔科技有限公司
NE5517DR2G
ON
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SOP16
2960
诚信交易大量库存现货
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深圳市冠亿通科技有限公司
NE5517DR2G
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16500
全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持!
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深圳市中飞凌科技有限公司
NE5517DR2G
ON(安森美)
26+
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60000
只有原装 可配单
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NE5517DR2芯片相关品牌

NE5517DR2规格书下载地址

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    2023-4-14

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    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19

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    型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限） 详细描述 通用-放大

    2021-12-6

  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17

  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17

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    NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，

    2019-3-22

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