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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
NE38018-T1	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES ○ Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz 4 pins super mini mold package Wg = 800 µm	NEC 瑞萨	NEC
NE38018-T1	Hetero Junction Field Effect transistor FEATURES • Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB TYP., Ga = 14.5 dB TYP., OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) TYP. @ f = 2 GHz NF = 0.4 dB TYP., Ga = 20 dB TYP. @ f = 900 MHz • 4 pins super mini mold package • Wg = 800 μ m	RENESAS 瑞萨	RENESAS

NE38018-T1B供应商更多...

更新时间：2025-10-29 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17
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2019-3-22