型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE3521M04-A

封装/外壳:4-SMD,扁平引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

CEL

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

文件:653.66 Kbytes Page:9 Pages

CEL

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

文件:414.49 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-31 12:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
1326+
4-SMD
938
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
24+
4-SMD
5000
全新原装正品,现货销售
RENESAS
2511
4-SMD
938
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
S
6000
面议
19
SOP-8
NSC
25+
贴片
2978
100%全新原装公司现货供应!随时可发货
RENESAS
24+
4-SMD
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
23+
SOP
13725
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NEC
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货

NE3521M04-A数据表相关新闻

  • NE5532ADR

    NE5532ADR

    2023-4-14
  • NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • NE5532DR原装热卖库存

    型号: NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 通用-放大

    2021-12-6
  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

    2019-3-22