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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3512S02-T1D | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL |   | |
NE3512S02-T1D | C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL | | ||
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C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL | |
NE3512S02-T1D产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3512S02-T1D
- 制造商
CEL
- 制造商全称
CEL
- 功能描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
NEC |
24+ |
SMT |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-50 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
原厂正品 |
23+ |
SMT |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
NEC |
24+ |
TO50 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
RENESAS |
2016+ |
TO-50 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT-86 |
98500 |
原装正品，支持实单 |
|||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
只做原装正品 |
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2024-5-4NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512
NE3512，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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