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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3512S02-T1D-A | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Labs |   | |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Labs | | ||
C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Labs | | ||
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C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
NE3512S02-T1D-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
13250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7768 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
RENESAS |
2016+ |
TO-50 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-50 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-50 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-50 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
RENESAS |
20+ |
SMT-86 |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2015+ |
TO-50 |
50000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S02 |
10000 |
||||
TO-50 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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2022-2-19NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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