位置:首页 > IC中文资料第2276页 > NE3508M04-T2-A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
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| NE3508M04-T2-A | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR 文件:1.2932 Mbytes Page:11 Pages | CEL | ||
| NE3508M04-T2-A | 封装/外壳:SOT-343F 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | CEL | ||
| HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR 文件:1.2932 Mbytes Page:11 Pages | CEL | |||
| L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件:213.54 Kbytes Page:12 Pages | RENESAS 瑞萨 | |||
| L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件:213.54 Kbytes Page:12 Pages | RENESAS 瑞萨 | 
NE3508M04-T2-A产品属性
- 类型描述 
- 型号NE3508M04-T2-A 
- 功能描述射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET 
- RoHS否 
- 制造商TriQuint Semiconductor 
- 技术类型pHEMT 
- 频率500 MHz to 3 GHz 
- 增益10 dB 
- 噪声系数正向跨导 
- gFS(最大值/最小值)4 S 漏源电压 
- 闸/源击穿电压- 8 V 
- 漏极连续电流3 A 
- 最大工作温度+ 150 C 
- 功率耗散10 W 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RENESAS | 23+ | SOT343 | 8650 | 受权代理!全新原装现货特价热卖! | |||
| NEC | 2023+ | SOT-343 | 8800 | 正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 | |||
| Renesas(瑞萨) | 24+ | 标准封装 | 11259 | 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 | |||
| NEC | 24+ | NA/ | 306 | 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 | |||
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| RENESAS/瑞萨 | 25+ | SOT343 | 18197 | RENESAS/瑞萨原装特价NE3508M04-T2-A即刻询购立享优惠#长期有货 | |||
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| NEC | 21+ | SOT-343 | 10000 | 原装现货假一罚十 | 
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