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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems

CEL

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems

RENESAS

瑞萨

Extraction Tool 2063388- 1

文件:90.78 Kbytes Page:2 Pages

TEC

泰科电子

NE350184C(A)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE350184C(A)

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-10-29 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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现货
NEC
21+
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10000
原装现货假一罚十

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  • NE3512S02-T1C-A

    NE3512S02-T1C-A,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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