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NDSH20120C-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NDSH20120C-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-11-17 23:00:00
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