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NDSH20120C-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NDSH20120C-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-9-30 22:59:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO2472 |
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
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肖特基二极管和整流二极管 |
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ON |
24+ |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT-223 |
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ON(安森美) |
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TO-247-2LD |
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