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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.26 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) | HOTTECH 合科泰 | | ||
SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
20V P-Channel Increased MOS FET 文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-4-17
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