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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NDF03N60ZH | N-Channel Power MOSFET 文件：147.81 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NDF03N60ZH | N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.6 文件：137.18 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
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NDF03N60ZH产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDF03N60ZH
- 功能描述
MOSFET NFET 600V 3A 3.3
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO-220F |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON |
21+ |
TO-220属封 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
24+ |
TO-220 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
|||
ON |
23+ |
TO-220F |
50 |
正规渠道,只有原装! |
|||
TOSHIBA |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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ON原装 |
25+23+ |
TO-220 |
24213 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-220F |
25600 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
24+ |
TO-2203LEADFULLPA |
8866 |
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