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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDD04N62Z-1G | N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 文件：159.89 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |
NDD04N62Z-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD04N62Z-1G
- 制造商
ONSEMI
- 制造商全称
ON Semiconductor
- 功能描述
N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8
更新时间：2025-10-31 17:43:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
18500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON/安森美 |
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TO252 |
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全新原装现货,价格优势 |
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ON/安森美 |
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ONSemiconductor |
24+ |
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进口原装正品优势供应 |
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