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NDD04N60Z-1价格
参考价格：￥1.9428
型号：NDD04N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD04N60Z-1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD04N60Z-1批发/采购报价，NDD04N60Z-1行情走势销售排行榜，NDD04N60Z-1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDD04N60Z-1 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.07548 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 1.8 \u0002, 600 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts 文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm 文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：371.74 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
NDD04N60Z-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD04N60Z-1
- 功能描述
MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
11704 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON |
24+ |
TO-251 |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
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ON/安森美 |
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TO-251 |
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ON/安森美 |
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TO-251 |
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TO-251 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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原厂封装 |
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振宏微原装正品,假一罚百 |
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TO251 |
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19+ |
TO-251 |
4500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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ON |
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TO-251 |
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23+ |
TO-251 |
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