位置：首页 > IC中文资料第2626页 > NDD04N50Z-1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDD04N50Z-1G | N-ChannelPowerMOSFET500V,2.7 文件：127.75 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NDD04N50Z-1G | N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.07547 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
NDD04N50Z-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD04N50Z-1G
- 功能描述
MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
TO-251 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAKCEN |
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终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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ON |
23+ |
TO-251 |
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正规渠道,只有原装! |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
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ON |
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DPAK2WSTRPFH |
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全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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DPAK |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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代理全新原装现货,价格优势 |
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DPAK |
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