型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NDD04N50Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

文件:127.75 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.07547 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD04N50Z-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD04N50Z-1

  • 功能描述

    MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-24 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
22+
TO-251
20000
公司只做原装 品质保障
ON
24+
TO-251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
三年内
1983
只做原装正品
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TO-252
2480
现货
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24+/25+
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原装正品现货库存价优
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188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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23+
TO-251
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全新原装正品现货,支持订货
VB
21+
IPAK
10000
原装现货假一罚十

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