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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
|---|---|---|---|---|
| isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
| N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 文件:168.55 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
| N-Channel Power MOSFET 文件:148.07 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
| N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件:1.08208 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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