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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

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安森美半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-10-31 17:46:01
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