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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
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NDB6020P_Q产品属性
- 类型描述 
- 型号NDB6020P_Q 
- 功能描述MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode 
- RoHS否 
- 制造商STMicroelectronics 
- 晶体管极性N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压650 V 
- 闸/源击穿电压25 V 
- 漏极连续电流130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通)0.014 Ohms 
- 配置Single 
- 安装风格Through Hole 
- 封装/箱体Max247 
- 封装Tube 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTIV | 23+ | 卡座 | 5864 | 原装原标原盒 给价就出 全网最低 | |||
| 住友 | 2018+ | 1300 | 只做原装,可提供样品 | ||||
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