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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP5378MNR2G | Single Phase Synchronous Buck Controller with Integrated Gate Drivers and Programmable DAC 文件：208.88 Kbytes Page：18 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NCP5378MNR2G | 封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC REG CTRLR POWER 1OUT 32QFN 集成电路（IC） 特殊用途稳压器 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
NCP5378MNR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP5378MNR2G
- 功能描述
DC/DC 开关控制器 1-PHASE SYNC BUCK CONTROL
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 输入电压
6 V to 100 V
- 输出电压
1.215 V to 80 V
- 输出电流
3.5 A
- 输出端数量
1
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
CPAK
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
1461 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
24+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON |
2010 |
QFN-32 |
13538 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
2016+ |
QFN32P |
6523 |
只做原装正品现货!或订货! |
|||
ON |
23+ |
QFN |
2057 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
23+ |
BGAQFP |
8659 |
原装公司现货!原装正品价格优势. |
|||
onsemi |
25+ |
32-VFQFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
QFN-32 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
|||
ON |
21+ |
QFN32 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
ON/ |
24+ |
QFN-32 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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NCP551SN30T1G安森美原厂原装
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2023-4-7NCP5500DADJR2G SOP-8 稳压器芯片进口IC -宗天技术开发有限公司
NCP5500DADJR2G
2022-5-13NCP5425DBR2G
4.5 V to 60 V 开关控制器 , 1 Output 50 % 500 kHz 开关控制器 , 100 V to 400 V 开关控制器 , Quasi-Resonant 开关控制器 , 65 kHz 开关控制器 , Through Hole 开关控制器
2020-7-13NCP5359DR2G公司全新现货供应
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2019-7-24NCP5355-12 V同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5355是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化盖茨都高，低侧输出功率是在同步MOSFET降压转换器。 NCP5355是一个很好的伴侣多相控制器没有集成的栅极驱动器，如安森美半导体的NCP5314和NCP5316。这种架构由于能够提供电源设计者更大的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。具有12 V源驱动的MOSFET，而不是一个5.0 V可显着减少传导损耗。内部优化，自适应非重叠电路，防止进一步降低开关损耗同时导通两个MOSFET。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，电压高达26门输出都可以驱动低高应用水平低的逻辑使能（EN）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动器输出为低时，
2013-2-26NCP5351-4个同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5351是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化两高侧和低侧功率MOSFET的闸一同步降压转换器。 NCP5351是一个极好的同伴多相控制器没有集成门极如安森美半导体的CS5323，CS5305和CS5307的驱动程序。该结构提供了电源设计的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。4.0 A驱动器的能力，使NCP5351理想，尽量减少开关MOSFET的输入电容大的损失。优化内部，自适应非重叠电路，进一步降低开关损失的预防两个MOSFET同时导通。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，双方高达25门输出可驱动高电压低，电源电流降至低于25？一，通过应用低的逻辑水平，以使能（EN）引
2013-2-26
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