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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual Output DDR Power Controller 文件：69.71 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Dual Output DDR Power Controller 文件：83.08 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Dual Output DDR Power Controller 文件：83.08 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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ON |
QFN-18 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ON |
0526+ |
QFN |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON |
03/04+ |
QFN-18 |
5040 |
全新原装100真实现货供应 |
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ON/安森美 |
18+ |
DFN |
31533 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON Semiconductor |
22+ |
18DFN (5x6) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ON/安森美 |
2019+ |
QFN |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
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ON/安森美 |
24+ |
DFN18+ |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
NCP5201MNR2GIC芯片相关品牌
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NCP5201MNR2GIC数据表相关新闻
NCP5106BDR2G
进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5331-两相PWM控制器，集成门极驱动器
NCP5331是第二代，两相降压控制器权力的64位AMD采用了先进的控制功能Athlon处理器和低电压，高电流电源。专有的多相架构，保证均衡的负载电流共享，降低了输出电压和输入电流纹波，减小滤波器的要求，电感值，并增加输出电流压摆率。结合传统的增强型V2已经与内部PWM斜坡电压反馈直接从VCORE内部的PWM比较器。这些功能和增强功能提供最快的瞬态响应，降低输出电压抖动，提供更大的设计灵活性和可移植性，并最大限度地降低整体解决方案的成本。高级功能包括可调电源良好延迟，可编程的过流关断定时器，优越的过压保护（OVP）和差分遥感。一个创新的过压保护（OVP）的计划，保障期间的CPU极端的情况下，包
2012-11-26
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