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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP51705MNTXG | Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losse | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP51705MNTXG | 封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP51705MNTXG | Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver 文件：406.83 Kbytes Page：21 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losse | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver The NCV51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losse | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
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ON/安森美 |
25+ |
原厂封装 |
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ON(安森美) |
23+ |
TO-252-3 |
11138 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
24-QFN |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价NCP51705MNTXG即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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ON |
24+ |
WQFN-24 |
25000 |
ON全系列可订货 |
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ON(安森美) |
24+ |
TO-252-3 |
10348 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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ONS |
23+ |
NCP5173MNR2 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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ON |
6000 |
面议 |
19 |
QFN-8P |
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ON/安森美 |
23+ |
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NCP51705MNTXG规格书下载地址
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2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17NCP5331-两相PWM控制器，集成门极驱动器
NCP5331是第二代，两相降压控制器权力的64位AMD采用了先进的控制功能Athlon处理器和低电压，高电流电源。专有的多相架构，保证均衡的负载电流共享，降低了输出电压和输入电流纹波，减小滤波器的要求，电感值，并增加输出电流压摆率。结合传统的增强型V2已经与内部PWM斜坡电压反馈直接从VCORE内部的PWM比较器。这些功能和增强功能提供最快的瞬态响应，降低输出电压抖动，提供更大的设计灵活性和可移植性，并最大限度地降低整体解决方案的成本。高级功能包括可调电源良好延迟，可编程的过流关断定时器，优越的过压保护（OVP）和差分遥感。一个创新的过压保护（OVP）的计划，保障期间的CPU极端的情况下，包
2012-11-26
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