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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP51190_14 | 1.5A DDR Memory Termination Regulator 文件：107.53 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-10 15:14:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON Semiconductor(安森美) |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
|||
ON |
22+ |
8-VFDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON/安森美 |
2018+ |
5500 |
|||||
onsemi |
2025+ |
55740 |
|||||
ON(安森美) |
2511 |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
ON Sem |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17
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