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NCP51105

Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with Over Current Protection

The NCP51105 is a high current low side gate driver designed to drive Power MOSFET and IGBT. The logic input is compatible with CMOS and TTL output. The NCP51105 has OCP pin to provide over current protection with negative voltage detected across switching current sensing resistor and EN pin t

ONSEMI

安森美半导体

Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with Over Current Protection

The NCP51105 is a high current low side gate driver designed to drive Power MOSFET and IGBT. The logic input is compatible with CMOS and TTL output. The NCP51105 has OCP pin to provide over current protection with negative voltage detected across switching current sensing resistor and EN pin t

ONSEMI

安森美半导体

Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with OCP

ONSEMI

安森美半导体

Common Mode Chokes

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MuRata

村田

Multi Purpose Transformers

文件:30.34 Kbytes Page:1 Pages

RHOMBUS-IND

更新时间:2025-12-30 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOP-8
32732
原装正品代理渠道价格优势
ON(安森美)
23+
标准封装
8000
正规渠道,只有原装!
ON
24+
SOP8
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
ON
SOP8
12938
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ON
25+
S0-8
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON Semiconductor
22+
8SOIC
9000
原厂渠道,现货配单
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24+
SOP8
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
ONS
24+
2516
onsemi
25+
原厂封装
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原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!

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    说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压(VDDQ的)。的?2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动,欠压监测5VDUAL,过电流保护(OCP的)和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点 

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    说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为​​高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器(VTT)的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器(VDDQ的)。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出,并通知在出现故障时,用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的,的VTT稳压器 •内

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