| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NCP51105 | Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with Over Current Protection The NCP51105 is a high current low side gate driver designed to drive Power MOSFET and IGBT. The logic input is compatible with CMOS and TTL output. The NCP51105 has OCP pin to provide over current protection with negative voltage detected across switching current sensing resistor and EN pin t | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with Over Current Protection The NCP51105 is a high current low side gate driver designed to drive Power MOSFET and IGBT. The logic input is compatible with CMOS and TTL output. The NCP51105 has OCP pin to provide over current protection with negative voltage detected across switching current sensing resistor and EN pin t | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Single 2.6 A, Low-Side Gate Driver with OCP | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Common Mode Chokes 文件：144.71 Kbytes Page：3 Pages | MURATA 村田 | | ||
Multi Purpose Transformers 文件：30.34 Kbytes Page：1 Pages | RHOMBUS-IND | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi |
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原厂封装 |
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onsemi |
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原厂封装 |
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ON/安森美 |
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SOP-8 |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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NCP51105规格书下载地址
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NCP5106BDR2G
进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP45780IMN24RTWG 全新原装
NCP45780IMN24RTWG
2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17
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