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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP5109BMNTWG | High Voltage, High and Low Side Driver 文件：120.95 Kbytes Page：18 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP5109BMNTWG | 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
3A Low Dropout LDO General Description EM5109 is a 3A low dropout linear regulator designed for low dropout and high current applications. This device works with dual supplies, a control input for the control circuitry and a power input as low as 1.05V for providing current to output. It features 3A output cur | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
1-port Modbus RTU/ASCII/TCP-to-DNP3 serial/TCP/UDP gateways 文件：751.78 Kbytes Page：6 Pages | moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司 | | ||
LED Floating Lantern 文件：227.9 Kbytes Page：1 Pages | ENERGIZER 劲量 | | ||
SAW filter Base-station RF 文件：92.2 Kbytes Page：8 Pages | EPCOS 爱普科斯 | | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON |
24+ |
SOT-23-5 |
25000 |
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ON/安森美 |
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2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP45780IMN24RTWG 全新原装
NCP45780IMN24RTWG
2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17
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