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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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3A Dual High-Speed MOSFET Drivers 文件：90.63 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES * Compact E-LINE (TO92 style) package * 240 Volt BVDS * RDS(on)=4.3Ω Typical at VGS=2.5V * Low threshold * Fast switching APPLICATIONS * Earth recall and dialling switches * Electronic hook switches * Battery powered equipment * Telecoms and high voltage dc-dc converters | ZETEX | | ||
3A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS 文件：84.02 Kbytes Page：7 Pages | TELCOM | | ||
3A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS 文件：84.02 Kbytes Page：7 Pages | TELCOM | | ||
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3A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS 文件：84.02 Kbytes Page：7 Pages | TELCOM | |
NCP4424DWR产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP4424DWR
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
N/A |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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ON |
24+ |
SOP16 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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ON |
SOP16 |
5398 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
DIP8 |
3196 |
全新原装正品支持含税 |
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ON |
24+ |
SOP16 |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOP16 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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ON |
22+ |
DIP8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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ON |
2016+ |
SOP16 |
5398 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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onsemi |
25+ |
N/A |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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25+ |
DIP |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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NCP4424DWR规格书下载地址
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NCP45520IMNTWG-H ，全新原装.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.
2021-12-26NCP45521IMNTWG-H电流限幅开关原装正品现货
保证最优惠的价格，薄利多销为经营理念;_ 服务:最快捷的交货方式，货品均有30天质量保证
2019-8-27NCP4423DWR2-双MOSFET驱动器|硫酸钾|16PIN|塑料
该NCP4423/4424/4425是MOSFET驱动器是能够在苛刻的电气环境中提供可靠的服务。虽然主要用于驱动功率MOSFET，这些司机驾驶以及鈥（电容，电阻等负载uited搒，或感性），需要一个低阻抗驱动能力的高峰值电流和快速开关时间。大量的应用，如加载时钟线，同轴电缆，或压电传感器都可以驱动与NCP4423/4424/4425。唯一已知的限制在加载的是，总功率消耗的驱动程序必须保持在最大功率封装的耗散限制。 特点 高峰值输出电流（3一） 宽工作范围（4.5 V至18 V） 高容性负载驱动能力（1800年25纳秒pF）的
2013-2-26NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料
该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的，无损坏或逻辑不安，高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容，并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
2013-2-26
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