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NCP432B价格

参考价格:¥0.8004

型号:NCP432BISNT1G 品牌:ON 备注:这里有NCP432B多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP432B批发/采购报价,NCP432B行情走势销售排行榜,NCP432B报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NCP432B

Programmable Precision References

The NCP431/NCP432 integrated circuits are three−terminal programmable shunt regulator diodes. These monolithic IC voltage references operate as a low temperature coefficient zener which is programmable from Vref to 36 V using two external resistors. Features • Programmable Output Voltage to 36 V

ONSEMI

安森美半导体

NCP432B

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安森美半导体

Programmable Precision References

The NCP431/NCP432 integrated circuits are three−terminal programmable shunt regulator diodes. These monolithic IC voltage references operate as a low temperature coefficient zener which is programmable from Vref to 36 V using two external resistors. Features • Programmable Output Voltage to 36 V

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安森美半导体

Programmable Precision References

The NCP431/NCP432 integrated circuits are three−terminal programmable shunt regulator diodes. These monolithic IC voltage references operate as a low temperature coefficient zener which is programmable from Vref to 36 V using two external resistors. Features • Programmable Output Voltage to 36 V

ONSEMI

安森美半导体

Programmable Precision References

The NCP431/NCP432 integrated circuits are three−terminal programmable shunt regulator diodes. These monolithic IC voltage references operate as a low temperature coefficient zener which is programmable from Vref to 36 V using two external resistors. Features • Programmable Output Voltage to 36 V

ONSEMI

安森美半导体

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安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:管件 描述:IC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT23-3 集成电路(IC) 电压基准

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT23-3 集成电路(IC) 电压基准

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安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

1.24V ADJUSTABLE SHUNT VOLTAGE REFERENCE

DESCRIPTION The TS432 is an adjustable low power shunt voltage reference providing an output voltage from 1.24V to 10V over the industrial temperature range (-40 to +85°C). Available in SOT23-3 surface mount package, it can be designed in applications where space saving is a critical issue. ■ 1.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Dual Wideband Monolithic Op Amp with Disable

文件:863.15 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS

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TI

德州仪器

ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS

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TI

德州仪器

ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS

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TI

德州仪器

NCP432B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCP432B

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Programmable Precision References

更新时间:2026-8-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
STO23-3
6524
原装正品,现货库存,1小时内发货
ON/安森美
25+
SOT23-3
37487
ON/安森美全新特价NCP432BVSNT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ON(安森美)
2511
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6325
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价
ON(安森美)
23+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
13564
公司只做原装正品,假一赔十
ON/安森美
22+
SOT23
15000
原装优质现货订货渠道商
ONSEMI/安森美
26+
SOT23-3
18000
原装正品,可配单,支持实单
ON(安森美)
23+
25900
新到现货,只有原装
ON
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
ON/安森美
2021+
SOT23-5
9000
原装现货,随时欢迎询价
ON/安森美
2023+
SOT23-3
15000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站

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    2023-11-18
  • NCP45520IMNTWG-H

    NCP45520IMNTWG-H ,全新原装.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.

    2021-12-26
  • NCP43080ADR2G

    NCP43080ADR2G

    2021-8-19
  • NCP361SNT1G

    MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

    2013-2-26
  • NCP4423DWR2-双MOSFET驱动器|硫酸钾|16PIN|塑料

    该NCP4423/4424/4425是MOSFET驱动器是能够在苛刻的电气环境中提供可靠的服务。虽然主要用于驱动功率MOSFET,这些司机驾驶以及鈥(电容,电阻等负载uited搒,或感性),需要一个低阻抗驱动能力的高峰值电流和快速开关时间。大量的应用,如加载时钟线,同轴电缆,或压电传感器都可以驱动与NCP4423/4424/4425。唯一已知的限制在加载的是,总功率消耗的驱动程序必须保持在最大功率封装的耗散限制。 特点 高峰值输出电流(3一) 宽工作范围(4.5 V至18 V) 高容性负载驱动能力(1800年25纳秒pF)的

    2013-2-26