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NCP367DPMEBTBG

BatteryChargeFront-EndProtection,USBandAC/DCSupplyCompliant

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NCP367DPMEBTBG

BatteryChargeFront-EndProtection

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Anextensiverangeofpremiumquality,problemsolvingadaptersincluding1/4,XLR,RCA,DMX,BNC,75/110Ohm,impedancematchingtransformers,andmuchmore.

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SWITCH

Switch Publishing Co.,Ltd.

SWITCH

ACvoltageandcurrentmeasurements

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

Micropower,3-Axis,짹2g/짹4g/짹8gDigitalOutputMEMSAccelerometer

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ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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Micropower,3-Axis,짹2g/짹4g/짹8gDigitalOutputMEMSAccelerometer

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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Micropower,3-Axis,짹2g/짹4g/짹8gDigitalOutputMEMSAccelerometer

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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更新时间:2024-5-15 17:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2018+
NA
10000
超低热卖原装房间现货
ON
23+
NA
11024
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553
ON
23+
NA
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
ON/安森美
2023+
QFN
18000
原厂全新正品旗舰店优势现货
ON Semiconductor
21+
8-DFN(2x2.2)
65200
一级代理/放心采购
ON
22+23+
DFN-8
50889
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
ON
2021
N/A
6000
ON/ON Semiconductor/安森美/安
21+
BGA
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
2016+
DFN-8
6528
只做进口原装现货!或者订货,假一赔十!
ON/安森美
22+
QFN
18000
现货,原厂原装假一罚十!

NCP367DPMEBTBG芯片相关品牌

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  • NCP4318ALLDR2G

    onsemi的双通道同步整流(SR)控制器系列具有自适应死区时间控制

    2023-11-18
  • NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2021-11-25
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    NCP43080ADR2G

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  • NCP361SNT1G

    MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

    2013-2-26
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26