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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
NCP3418BMNR2G	封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN 集成电路（IC）栅极驱动器	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

NCP3418BMNR2G供应商更多...

更新时间：2025-10-31 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市英科美电子有限公司	NCP3418BMNR2G	ON/安森美	2223+	QFN	26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价
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NCP4318ALLDR2G
onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26