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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP3335ADM285R2G	Ultra High Accuracy, Low Iq, 500 mA Low Dropout Regulator 文件：128.789 Kbytes Page：15 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335ADM285R2G	Ultra High Accuracy, Low Iq, 500 mA Low Dropout Regulator 文件：283.52 Kbytes Page：21 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335ADM285R2G	Ultra High Accuracy, Low Iq, 500 mA Low Dropout Regulator 文件：273.35 Kbytes Page：21 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335ADM285R2G	封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC REG LINEAR 2.85V 500MA MICRO8 集成电路（IC）线性 + 开关稳压器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335ADM285R2G	封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC REG LINEAR 2.85V 500MA MICRO8 集成电路（IC）稳压器 - 线性	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP3335ADM285R2G供应商更多...

更新时间：2025-8-5 12:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛特兴科技有限公司	NCP3335ADM300R2G	ON(安森美)	23+	标准封装	8000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市中联芯电子有限公司	NCP3335ADM300R2G	安森美	24+	MSOP8	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP3335ADM285R2G	onsemi(安森美)	24+	Micro-8	7883	百分百原装正品,可原型号开票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NCP3335ADM285R2G	ONS	24+	8Micro	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市纳立科技有限公司	NCP3335ADM285R2G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	NCP3335ADM285R2G	ONS	23+	8Micro	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	NCP3335ADM285R2G	onsemi(安森美)	2021+	Micro-8	499		询价
深圳市正纳电子有限公司	NCP3335ADM300R2G	ON(安森美)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	NCP3335ADM300R2G	ON/安森美	2022+		7050	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NCP3335ADM285R2G	ONS	2016+	8Micro	6528	只做进口原装现货!假一赔十!	询价

NCP308MT180TBG原包原标低价出
NCP308MT180TBG原包原标低价出
2024-11-9
NCP3135MNTXG
降压开关稳压器 IC 正可调式 0.6V 1 输出 5A 16-VFQFN 裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26