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芯片资料

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NCV303LSN43T1G	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：207.57 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP303LSN43T1G供应商更多...

更新时间：2024-6-19 20:05:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市维尔达电子有限公司	NCV303LSN43T1G	ON	2226+	SOT23-5	34764	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	NCV303LSN43T1G	ON		SOT23-5	97000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
万三科技(深圳)有限公司	NCV303LSN43T1G	安森美	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26