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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP303LSN35T1	ON	ONON Semiconductor 安森美安森美半导体(上海)有限公司相关企业：深圳市冠亿通科技有限公司
NCP303LSN35T1	ONSEMI NA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司相关企业：深圳市华博特电子有限公司
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NCP303LSN35T1	ON	On-Bright 昂宝昂宝电子（上海）有限公司相关企业：深圳市冠亿通科技有限公司
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NCP303LSN35T1	ON	OSTOn Shore Technology Inc. 岸上岸上技术公司相关企业：深圳市冠亿通科技有限公司
NCP303LSN35T1	ON	ONSHORE On-Shore Technology, Inc. 相关企业：深圳市冠亿通科技有限公司
NCP303LSN35T1	ON	Onyx Onyx Healthcare. 相关企业：深圳市冠亿通科技有限公司

NCP303LSN35T1供应商更多...

更新时间：2024-5-12 23:00:02

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深圳市诺美思科技有限公司	NCP303LSN36T1	onsemi	22+/23+	5-TSOP	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26