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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP303152MNTWG	IntegratedDriver/MOSFET Description TheNCP303152integratesaMOSFETdriver,high−sideMOSFET andlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303152 integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandboar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303152MNTWG	封装/外壳：39-PowerVFQFN 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：INTEGRATED DRIVER \u0026 MOSFET 集成电路（IC）栅极驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303152	IntegratedDriver/MOSFET Description TheNCP303152integratesaMOSFETdriver,high−sideMOSFET andlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303152 integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandboar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-6-15 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP303152MNTWG	ON(安森美)	23+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	NCP303152MNTWG	ON/安森美	22+	N/A	10000	挂了就有,代理分销,TW价优	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NCP303152MNTWG	TI	21+		15000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	NCP303160MNTWG	ON/安森美			589220	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NCP303152MNTWG	onsemi(安森美)	23+	PDFN-39	3022	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
深圳市华博特电子有限公司	NCP303152MNTWG	onsemi	23/22+	NA	9000	代理渠道.实单必成	询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司	NCP303152MNTWG	ON/安森美	23+	NA	6000	原装正品,优势订货	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	NCP303152MNTWG	TI	2023+		700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
深圳廊盛科技有限公司	NCP3038	ON/安森美	2022	SOP8L	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市达恩科技有限公司	NCP303152MNTWG	ON	21+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26