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NCP303152MNTWG

IntegratedDriver/MOSFET

Description TheNCP303152integratesaMOSFETdriver,high−sideMOSFET andlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303152 integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandboar

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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NCP303152MNTWG

封装/外壳:39-PowerVFQFN 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:INTEGRATED DRIVER \u0026 MOSFET 集成电路(IC) 栅极驱动器

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Description TheNCP303152integratesaMOSFETdriver,high−sideMOSFET andlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303152 integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandboar

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更新时间:2024-6-15 20:00:00
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  • NCP3170ADR2G

    www.58chip.com

    2022-5-11
  • NCP302LSN38T1G 0N

    www.hfxcom.com

    2021-12-18
  • NCP302035MNTWG

    DFN-8栅极驱动器,PDIP-20栅极驱动器,SOT-6高端栅极驱动器,双12A栅极驱动器,35V栅极驱动器,SOIC-28栅极驱动器

    2020-7-28
  • NCP302LSN43T1G原装现货

    NCP302LSN43T1G原装现货

    2019-7-29
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26