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NCP171A3MX170165TCG | LDO Regulator - Ultra-Low Iq, Dual Power Mode 50nA, 80mA 文件：1.48012 Mbytes Page：22 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP171A3MX170165TCG | 封装/外壳：4-XDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC REG LINEAR 1.7V 80MA 4XDFN 集成电路（IC） 线性 + 开关稳压器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP171A3MX170165TCG | 封装/外壳：4-XDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC REG LINEAR 1.7V 80MA 4XDFN 集成电路（IC） 稳压器 - 线性 | ONSEMI 安森美半导体 | |
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2022-1-8NCP171AMX180175TCG安森美半导体NCP171LDO稳压器
安森美半导体的稳压器具有超低50 nA IQ和双电源模式
2019-9-5NCP2860-300 mA时非常低噪声，低压差线性稳压
NCP2860是一款低噪声，低压差线性稳压器，提供与输出电压为2.77伏特，它提供从3.0300 mA的V至6.0 V的输入。如果愿意，鈥沦ET“欌€针可以调整输出电压等级，然后应用到这个引脚的电压取决于。 精彩的文艺节目，在NCP2860功能瞬态响应，PSRR和噪声，使一个理想的解决方案音频应用（如音频放大器驱动器）。 特点 高输出电流（300 mA最大） 低输出电压噪声：60 Vrms的 低压差（150毫伏@ IOUT =300 mA时） 热过载和短路保护 非常低的消费，在关断模式（10不适用）
2013-1-15NCP1651-单级功率因数控制器
NCP345过压保护电路（OVP）保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源电源故障时配合使用外部P鈭抍hannel场效应管。该装置的设计意义上的过压条件和快速断开之前，任何输入电压供给负载可能会发生损坏。过压保护由一个精确的参考电压，比较滞后，控制逻辑，和MOSFET栅极驱动器。OVP的是一个强大的BiCMOS工艺设计，是为了承受瞬态电压高达30 V。该设备是有一个外部的应用进行了优化AC / DC适配器或汽车配件充电器电源产品和/或充电的内置电池。额定过压阈值6.85 V，所以它是适用于单节锂鈭捍上的应用，以及3 / 4细胞镍镉/镍氢电池应用。 特点 过压关
2012-12-16
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