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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NCP164CMTADJTAG	LDO Regulator, 300mA, Low Dropout Voltage, Ultra Low Noise, High PSRR with Power Good 文件：566.09 Kbytes Page：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
164	1/2 (12.7 mm) Ten Turn Wirewound Servo Mount Precision Potentiometer FEATURES • Large range of ohmic values: 100  to 100 k • Smallest size available on the market • Very easy and accurate adjustment • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
AC-164A	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	ZETTLER ZETTLER Electronics	ZETTLER
164EZ	Pushbutton Switches, 16mm, Illuminated 文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	MACOM	MACOM
164JE	Carbon Composition Molded OD/OF Series (5 Tol.) OA Series (10) 文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
164P	Passive components sales offices 文件：4.8118 Mbytes Page：20 Pages	Samsung 三星	Samsung

NCP164CMTADJTAG供应商更多...

更新时间：2025-10-31 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NCP164CSN180T1G	onsemi(安森美)	24+	TSOP51.5mm	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市芯球通科技有限公司	NCP164CSN330T1G	ON(安森美)	23+	TSOP-5	14818	公司只做原装正品,假一赔十	询价
深圳市煦洪科技有限公司	NCP164CSN180T1G	onsemi	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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深圳市芯国创科技有限公司	NCP164CSN180T1G	onsemi	25+	原厂封装	10280		询价
万三科技(深圳)有限公司	NCP164CSN180T1G	ON(安森美)	25+	TSOP-5	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NCP164CSN180T1G	onsemi	25+	SOT-23-5 细型 TSOT-23-5	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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NCP1622BECSNT1G
onsemi NCP1622BECSNT1G IC PFC CTRLR CRM 6TSOP
2022-10-19
NCP1654BD65R2G
NCP1654BD65R2G 功率因数修正（PFC) ON 封装SOP-8
2022-8-3
NCP171AMX180175TCG安森美半导体NCP171LDO稳压器
安森美半导体的稳压器具有超低50 nA IQ和双电源模式
2019-9-5
NCP161BMX500TBG
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-17
NCP1608BDR2G只做原装现货/假一罚十
瀚佳科技(深圳）有限公司：专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2019-1-8
NCP1651-单级功率因数控制器
NCP345过压保护电路（OVP）保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源电源故障时配合使用外部P鈭抍hannel场效应管。该装置的设计意义上的过压条件和快速断开之前，任何输入电压供给负载可能会发生损坏。过压保护由一个精确的参考电压，比较滞后，控制逻辑，和MOSFET栅极驱动器。OVP的是一个强大的BiCMOS工艺设计，是为了承受瞬态电压高达30 V。该设备是有一个外部的应用进行了优化AC / DC适配器或汽车配件充电器电源产品和/或充电的内置电池。额定过压阈值6.85 V，所以它是适用于单节锂鈭捍上的应用，以及3 / 4细胞镍镉/镍氢电池应用。特点过压关
2012-12-16