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NCP1612BDR2G	Enhanced, High?륟fficiency Power Factor Controller The NCP1612 is designed to drive PFC boost stages based on an innovative Current Controlled Frequency Fold-back (CCFF) method. In this mode, the circuit classically operates in Critical conduction Mode (CrM) when the inductor current exceeds a programmable value. When the current is below this pre	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP1612BDR2G	封装/外壳：10-SOP（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IC PFC CTRLR CCFF/CRM 10SOIC 集成电路（IC） PFC（功率因数校正）	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP1612BDR2G	Enhanced, High-Efficiency Power Factor Controller 文件：811.81 Kbytes Page：30 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-10-31 18:37:00

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NCP1622BECSNT1G
onsemi NCP1622BECSNT1G IC PFC CTRLR CRM 6TSOP
2022-10-19
NCP15WB333F03RC
NCP15WB333F03RC
2021-7-2
NCP161BMX500TBG
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-17
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NCP1595AMNR2G 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7
NCP1608BDR2G只做原装现货/假一罚十
瀚佳科技(深圳）有限公司：专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2019-1-8
NCP1651-单级功率因数控制器
NCP345过压保护电路（OVP）保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源电源故障时配合使用外部P鈭抍hannel场效应管。该装置的设计意义上的过压条件和快速断开之前，任何输入电压供给负载可能会发生损坏。过压保护由一个精确的参考电压，比较滞后，控制逻辑，和MOSFET栅极驱动器。OVP的是一个强大的BiCMOS工艺设计，是为了承受瞬态电压高达30 V。该设备是有一个外部的应用进行了优化AC / DC适配器或汽车配件充电器电源产品和/或充电的内置电池。额定过压阈值6.85 V，所以它是适用于单节锂鈭捍上的应用，以及3 / 4细胞镍镉/镍氢电池应用。特点过压关
2012-12-16