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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP-3200-48	3200WRackMountableFrontEndRectifier&BatteryCharger2-in-1 Features UniversalAGinput/Fullrange PowersupplyorchargermodeselectablebyPMBus,CANBus. orSBP-001(onlyfor24V/48Ymodels) Builtin2/3stagechargingcurvesandprogrammablecurve (onlyfor24V/48Vmodels) Highefficiencyupto94.5 *Outputvoltageandconstantcurrent	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司
DBR-3200-48	3200WRackMountableFrontEndBatteryCharger 文件：187.28 Kbytes Page：6 Pages	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司
DBU-3200-48	3200WIntelligentSingleOutputBatteryCharger 文件：338.28 Kbytes Page：8 Pages	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司
DPU-3200-48	3200WPowerSupplywithSingleOutput 文件：378.63 Kbytes Page：8 Pages	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司
DRP-3200-48	3200WRackMountableFrontEndRectifier 文件：205.98 Kbytes Page：6 Pages	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司

NCP-3200-48供应商更多...

更新时间：2025-8-4 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP3218	ON/安森美	24+	NA/	3351	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NCP3218		24+	QFN	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NCP3218		2017+	QFN48	6528	只做原装正品假一赔十!	询价
上海专毅电子科技有限公司	NCP3218AMNR2G	ON	17+	N/A	9800	只做全新进口原装,现货库存	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NCP3218	ON(安森美)	23+	标准封装	5000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	NCP3218AMNR2G	ON	23+	QFN48	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NCP3218	ON	22+	QFN	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	NCP3218	ON(安森美)	24+	N/A	18000	原装正品现货支持实单	询价
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深圳市向鸿伟业电子有限公司	NCP3218	ON/安森美	2407+	QFN	7750	原装现货!实单直说!特价!	询价

NCP308MT180TBG原包原标低价出
NCP308MT180TBG原包原标低价出
2024-11-9
NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP361SNT1G
MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26