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NCE70H10F

丝印代码:NCE70H10F;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE70H10F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features ● VDS =70V,ID =100A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE70H10F

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

NCE70H10F产品属性

  • 类型

    描述

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TO-220F

  • Polarity:

    P

  • BVDSS(V):

    70

  • ID(A):

    100

  • VTH(V):

    3

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    4.8

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    5.5

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    4900

  • QG(nC):

    100

  • PD(W):

    45

更新时间:2026-8-3 19:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE新洁能
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TO-220F
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