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NCE70H10F

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE70H10F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features ● VDS =70V,ID =100A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE70H10F

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-11-17 17:10:00
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