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NCE30H29D

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30H29Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=290A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER
更新时间:2024-6-8 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE POWER
2023+
TO-263
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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MOSFET
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