| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCE3080IA | 丝印代码：NCE3080IA；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =80A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 |   | |
NCE3080IA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE3080IA uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. • V DS =30V,I D =80AR DS(ON) <6.5m? @ V GS =10VR DS(ON) < 10m? @ V GS =5V• High density cell design for ultra low Rdson• Fully characterized avalanche voltage and current• Good stability and uniformity with high E AS• Excellent package for good heat dissipation; | NCEPOWER 新洁能 | | |
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ULTRAFAST RECTIFIERS 30 AMPERES 600-800 VOLTS 文件：52.24 Kbytes Page：2 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | |
NCE3080IA产品属性
- 类型
描述
- Product status：
Production
- Package：
TO-251
- Polarity：
P
- BVDSS(V)：
30
- ID(A)：
80
- VTH(V)：
1.1
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
5.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
6.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
7.5
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
10
- VGS(th)(V)：
±20
- CISS(pF)：
2330
- QG(nC)：
51
- PD(W)：
83
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE新洁能 |
25+ |
TO-251 |
100000 |
新结能全线供应,支持终端生产 |
|||
NCE/新洁能 |
21+ |
TO-251 |
28500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NCE |
25+ |
TO-251 |
10000 |
公司原装现货一片起送靠谱 |
|||
NCE |
26+ |
TO-251 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
NCE新洁能 |
25+ |
TO-251 |
28500 |
原厂原装,价格优势 |
|||
NCE/新洁能 |
25+ |
TO-251 |
60000 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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NCE/新洁能 |
25+ |
TO-251 |
20000 |
原装 |
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NCE |
24+ |
TO-251 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
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NCE/新洁能 |
21+ |
TO-251 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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NCE |
23+ |
TO-251 |
28500 |
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NCE3080IA规格书下载地址
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