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NCE01H14T

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE01H14T

N沟道 MOSFET

NCEPOWER

新洁能

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-9-28 13:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
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NCE新洁能
22+
TO-247
100000
新结能全线供应,支持终端生产

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A 功率(Pd) 40W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

    2021-10-16
  • NCE01H29T

    NCE01H29T

    2021-8-2
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    2021-8-2
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